首先，以我们使用的N4700陶瓷为例，温漂约为20%，而且是负温，也就是说，温度越低，容量越大，反之，温升越高，容量越小。在高频高压的环境下，电容器的容量会有所衰减，这是正常现象。几乎所有的材料都有衰减，介电常数大的材料如N4700会更明显。与微波陶瓷、NP0陶瓷相比，这种现象非常突出。

其次，由陶瓷材料制成的电容器具有偏压特性。电压越高，频率越高，容量的衰减就越大。不仅是陶瓷电容，还有薄膜电容。经过高温和高压的电容器，除了少数NP0或微波陶瓷，容量会发生变化。这种现象在高介电常数的陶瓷中更为明显。在介电常数在180以内的材料中，特别是介电常数在100以内的材料中，几乎没有问题。这是因为小介电常数的陶瓷电容器，如NP0材料，具有非常小的介电损耗和非常好的温度特性，几乎没有温度漂移，所以在高频、高压、高温后的衰减非常小。通常的N4700材料的介电常数在1000到3500之间，所以这种大介电材料的衰减很明显。

如果你想选择衰减最小的电容器，你只能选择温度漂移小、介质损耗低的陶瓷材料。如果你不能接受衰减后的容量，你可以在定制陶瓷电容时稍微增加标称容量。例如，对于通常的1400PF的电容，日本TDK的实际容量是1600PF，这是为了补偿衰减造成的容量偏差。

容量衰减是一种正常现象，只要是电容器，都存在这个问题。为了避免风险，要谨慎选择材料。衰减的原因 陶瓷电容 是相对较小的。如果能选择具有小电介质的陶瓷材料，电容的衰减将得到显著改善。